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“MOS管”参数说明
| 结构形式： | PNP | 结构工艺： | 平面管 |
| 安装方式： | 插件 | 材料： | 硅管 |
| 封装形式： | 金属封装 | 工作状态： | 放大 |
| 产量： | 5000000 |
“MOS管”详细介绍
产品详细参数：
加工定制：否
产品类型：肖特基管
是否进口：否
品牌：GW
型号：MBR30100PT
材料：硅（Si）
主要参数：30A100V
用途：LED防水电源
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V18
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅整流，多数载波传导
低正向电压，高效率
护过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
免费续流和极性保护应用
机械数据
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息很容易焊
铅焊接温度的目的：260℃Max.for信息10秒运50单位每塑料管
产品通过一系列的安全可靠认证，如UL、无铅认证，符合IEC61000-4-2 ESD、IEC 61643-321：2001 ABD测试标准。TVS DIODE：瞬态抑制二极管是一种限压型的过电压保护器件，它又叫TVP、ABD，它能以pS级的速度把过高的电压限制在一个安全范围之内，从而起到保护后面电路的作用。
加工定制：否
产品类型：肖特基管
是否进口：否
品牌：GW
型号：MBR30100PT
材料：硅（Si）
主要参数：30A100V
用途：LED防水电源
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V18
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅整流，多数载波传导
低正向电压，高效率
护过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
免费续流和极性保护应用
机械数据
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息很容易焊
铅焊接温度的目的：260℃Max.for信息10秒运50单位每塑料管
产品通过一系列的安全可靠认证，如UL、无铅认证，符合IEC61000-4-2 ESD、IEC 61643-321：2001 ABD测试标准。TVS DIODE：瞬态抑制二极管是一种限压型的过电压保护器件，它又叫TVP、ABD，它能以pS级的速度把过高的电压限制在一个安全范围之内，从而起到保护后面电路的作用。
