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低压MOS场效应管

产品/服务:
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-10-20 10:51
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“低压MOS场效应管”参数说明

是否有现货: 类型: 增强型MOS管(P沟道)
材料: P-FET硅P沟道 封装外形: CHIP/小型片状
用途: V-FET/V型槽MOS 型号: SI2301 SI2305 SI3035
规格: SOT23 SOT23-3L 包装: 3000
产量: 5000000

“低压MOS场效应管”详细介绍

单P沟道低压MOS场效应管
型号  沟道  VDS
(Max)  VGS  VTH
(Typ)  ID
(Max)  IDM  RDS(on)
(Max)  封装  状态  直接替代型号
HM2301/A  P沟道  -20V  -10V  -0.65V  -3A  -10A  65mΩ  SOT23
SOT23-3L  量产  Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/
IRLML6401/IRML6402/AO3423
HM2301B  P沟道  -20V  -12V  -0.7V  -2.8A  -10A  83mΩ  SOT23  量产  Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301C  P沟道  -12V  -12V  -0.7V  -2.8A  -10A  85mΩ  SOT23  量产  Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301D  P沟道  -20V  -6V  -0.45V  -0.8A  -4A  350mΩ  SOT23  量产  Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301E  P沟道  -12V  -12V  -0.7V  -2A  -7A  95mΩ  SOT23  量产  Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301DR  P沟道  -20V  -6V  -0.45V  -0.8A  -4A  350mΩ  DFN1006-3L  量产  AON1605
HM2301KR  P沟道  -20V  -10V  -0.65V  -3A  -6A  65mΩ  SOT-323  量产  AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL
HM2301BKR
/BSR/BJR  P沟道  -20V  -6V  -0.45V  -0.8A  -1.6A  350mΩ  SOT-323
SOT-523
SOT-723  量产  AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL

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