“低压MOS场效应管”参数说明
是否有现货: | 是 | 类型: | 增强型MOS管(P沟道) |
材料: | P-FET硅P沟道 | 封装外形: | CHIP/小型片状 |
用途: | V-FET/V型槽MOS | 型号: | SI2301 SI2305 SI3035 |
规格: | SOT23 SOT23-3L | 包装: | 3000 |
产量: | 5000000 |
“低压MOS场效应管”详细介绍
单P沟道低压MOS场效应管
型号 沟道 VDS
(Max) VGS VTH
(Typ) ID
(Max) IDM RDS(on)
(Max) 封装 状态 直接替代型号
HM2301/A P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -10A 65mΩ SOT23
SOT23-3L 量产 Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/
IRLML6401/IRML6402/AO3423
HM2301B P沟道 -20V -12V -0.7V -2.8A -10A 83mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301C P沟道 -12V -12V -0.7V -2.8A -10A 85mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301D P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301E P沟道 -12V -12V -0.7V -2A -7A 95mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301DR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ DFN1006-3L 量产 AON1605
HM2301KR P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -6A 65mΩ SOT-323 量产 AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL
HM2301BKR
/BSR/BJR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -1.6A 350mΩ SOT-323
SOT-523
SOT-723 量产 AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL
型号 沟道 VDS
(Max) VGS VTH
(Typ) ID
(Max) IDM RDS(on)
(Max) 封装 状态 直接替代型号
HM2301/A P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -10A 65mΩ SOT23
SOT23-3L 量产 Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/
IRLML6401/IRML6402/AO3423
HM2301B P沟道 -20V -12V -0.7V -2.8A -10A 83mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301C P沟道 -12V -12V -0.7V -2.8A -10A 85mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301D P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301E P沟道 -12V -12V -0.7V -2A -7A 95mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301DR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ DFN1006-3L 量产 AON1605
HM2301KR P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -6A 65mΩ SOT-323 量产 AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL
HM2301BKR
/BSR/BJR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -1.6A 350mΩ SOT-323
SOT-523
SOT-723 量产 AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL